我國商用100G硅光芯片投產

來源：國際電(dian)子商情   近(jin)日中(zhong)國信息通信科(ke)技集團(tuan)宣布，我國首款商用(yong)(yong)“100G硅(gui)光收發芯(xin)片”正式研制投產。該芯(xin)片支持100-200Gb/s高速光信號傳(chuan)(chuan)輸(shu)，不僅(jin)“身材”超小，性能更(geng)高，成(cheng)本還更(geng)低，可通用(yong)(yong)化，廣泛應用(yong)(yong)于傳(chuan)(chuan)輸(shu)網和數據中(zhong)心光傳(chuan)(chuan)輸(shu)設備。

據悉，硅光(guang)芯(xin)片由國(guo)家信(xin)息(xi)光(guang)電子創新(xin)中(zhong)心、光(guang)迅科技(ji)公司、光(guang)纖通信(xin)技(ji)術和(he)網絡國(guo)家重點(dian)實驗(yan)室、中(zhong)國(guo)信(xin)息(xi)通信(xin)科技(ji)集(ji)團(tuan)聯(lian)合(he)研制。

在(zai)一個(ge)不到30平(ping)方毫米(mi)的(de)(de)硅芯(xin)(xin)片上(shang)，集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)了包(bao)括光(guang)(guang)發送、調制、接收等近60個(ge)有源和無源光(guang)(guang)元(yuan)件(jian)，是目前國際上(shang)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)度最(zui)高的(de)(de)商用硅光(guang)(guang)子集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)芯(xin)(xin)片之(zhi)一。該芯(xin)(xin)片完成(cheng)(cheng)封裝后，其(qi)硅光(guang)(guang)器件(jian)產品的(de)(de)尺寸僅為(wei)312平(ping)方毫米(mi)，面積為(wei)傳統器件(jian)的(de)(de)三(san)分之(zhi)一。

 此次100G/200G全集(ji)成硅(gui)基(ji)相干光收發集(ji)成芯片(pian)和器件的量產，已通過用戶現網測試，性能穩定可靠。

國家信息光電(dian)子(zi)創新中(zhong)心專家委員會主任(ren)余少華(hua)院士稱，硅材料來源(yuan)豐(feng)富(fu)，成本(ben)低，機械性能、耐高溫能力非常好，便于芯片加工和封(feng)裝。借助集成電(dian)路已大規模商用的CMOS工藝平臺實現硅光芯片的生產制造，可有效解決我國高端光電(dian)子(zi)芯片制造能力薄弱(ruo)、工藝能力不足的問題。

7月20日，武漢郵電(dian)(dian)科學研(yan)究(jiu)院（烽(feng)火系(xi)）和電(dian)(dian)信(xin)(xin)(xin)科學研(yan)究(jiu)院（大唐(tang)系(xi)）聯合重組，成(cheng)立中國信(xin)(xin)(xin)科集(ji)團，計劃未來(lai)5年內投資600億元(yuan)發展5G移動通信(xin)(xin)(xin)、集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路、網絡信(xin)(xin)(xin)息安全、光(guang)通信(xin)(xin)(xin)、光(guang)纖及光(guang)器件、特種通信(xin)(xin)(xin)、數據(ju)通信(xin)(xin)(xin)、云計算、物聯網與(yu)智慧城市(shi)解決方(fang)案(an)等9個產業方(fang)向。

此次工信部主導成立國家(jia)信息光電子創新中心，推(tui)動4家(jia)單位通(tong)力合(he)作，實現100G硅光芯片的產業化商(shang)用(yong)，表(biao)明我國已經具備硅光產品商(shang)用(yong)化設計的條件(jian)和(he)基礎(chu)。

未來幾年，硅光技術(shu)有望在光通信系統中大(da)規模部署(shu)和應用，推動我國自(zi)主(zhu)硅光芯片(pian)技術(shu)向(xiang)超(chao)(chao)高(gao)(gao)速(su)、超(chao)(chao)大(da)容量、超(chao)(chao)長距離、高(gao)(gao)集成度(du)、高(gao)(gao)性能、低功耗、高(gao)(gao)可靠的方向(xiang)發(fa)展。